这一成果近期发表在《ACSNano》上，中电文章第一作者是华中科技大学学生刘理权，胡清漪和张温凯。

但是，联2力供由于ZMO的低导电性，使得ZMO/CdTe界面产生较大的电子传输势垒，进而导致了S型J-V曲线的出现，严重限制了器件性能的进一步提高。此外，年年全ZMO/CdTe为typeII型异质结，可有效降低异质结界面处的缺陷复合损失，提高开路电压。

鄢炎发教授曾获得一系列国家和国际奖项，上半势分包括1995年日本学术振兴会的博士后研究奖，上半势分2001年获得美国能源部的青年科技者奖，2007年获得美国可再生能源实验室杰出研究的主任奖,2011年获得被誉为科技界的奥斯卡的研究与发展100奖，同年推选为美国物理学会会士，2018年被评为托莱多大学杰出研究学者，2021年被评为托莱多大学杰出教授。这是因为在Cd3V2或V2Te3中，国电告V-Te和Cd-V键具有较高的共价特性，在扩散前需要较高的能量打断共价键。对在惰性气氛和有氧气氛下进行CdCl2处理的ZMO/CdTe太阳能电池，需形析预作者使用SCAPS模拟，需形析预正反扫以及UV光照等测试手段对该猜想进行了验证，并通过变温J-V、导纳谱、对ZMO/CdTe异质结和CdTe/Au的接触势垒，以及体缺陷特性进行了测试。

图四、测报载流子寿命、密度以及缺陷特性表征（a）Cu和As掺杂的CdSeTe器件的TRPL曲线。中电该工作为实现25%的高效和高稳定性CdTe太阳能电池开辟了一条更有效的途径。

【成果简介】近日，联2力供美国阿拉巴马大学闫风教授，联2力供美国托莱多大学鄢炎发教授（共同通讯作者）、李登兵博士（第一作者）等人报道了一种新的高效非原位掺杂技术，即使用一系列V族高离子性材料（即V族氯化物（VCl3），如PCl3、AsCl3、SbCl3和BiCl3）作为掺杂前驱体，在低温条件下实现了有效的非原位V族元素掺杂。

年年全（d）使用X射线光电子能谱（XPS）分析As在CdSeTe中的化学状态。上半势分(4)生物医学传感与治疗。

现在就让小编来盘点一下过去五年内材料领域国内常发Nature、国电告Science的团队，一睹大师们的风采。毫无疑问中科院排名居首高达18篇，需形析预清华大学和北京大学紧随其后。

测报在天然气（甲烷）直接转化制高值化学品和煤基合成气直接制低碳烯烃等研究领域取得重要研究进展。过去五年中，中电马丁团队在Nature和Science上共发表了两篇文章。